Si3N4 ကြွေပြားများ

silicon nitride ကြွေပြားများ မြင့်မားသောစွမ်းအား၊ မြင့်မားသော wear ခံနိုင်မှု၊ မြင့်မားသောအပူချိန်ခံနိုင်ရည်၊ ချေးခြင်း၊ အက်ဆစ်နှင့်အယ်လကာလီခံနိုင်ရည်ရှိပြီးပင်လယ်ရေတွင်အချိန်ကြာမြင့်စွာအသုံးပြုနိုင်ပြီးကောင်းမွန်သော insulator တွင်လည်းဂုဏ်သတ္တိများရှိသည်။ ပိုမိုရှုပ်ထွေးသောအသုံးပြုမှုနှင့်လုပ်ငန်းခွင်ပတ် ၀ န်းကျင်နှင့်အတူရင်ဆိုင်ဖြေရှင်းနိုင်သည်။

Si3N4 ကြွေပြားများ မြင့်မားသောမာကျောခြင်းနှင့်ပေါ့ပါးအလေးချိန်ရှိသည်။ တိကျသောဆက်စပ်ပစ္စည်းများ (သို့) ပစ္စည်းကိရိယာများစွာတွင်၎င်းတို့ကိုအသုံးပြုသောအခါ၎င်းတို့တွင်ပွတ်တိုက်မှုနှင့်ဆွဲငင်အားအရှိန်မြှင့်တင်မှုကိန်းညွှန်းငယ်များရှိသည်။

Si3N4 ကြွေပြားများ မြင့်မားသောအပူချိန်များကိုခံနိုင်ရည်ရှိပြီးအပူချိန် ၁၂၀၀ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အောက်တွင်မြင့်မားသော volume ပြောင်းလဲမှုနှင့်အတူအပူချိန်မြင့်မားသောပတ်ဝန်းကျင်တွင်တည်ငြိမ်စွာအလုပ်လုပ်နိုင်သည်။ သာမာန်အပူတုန်ခါမှုစွမ်းဆောင်ရည်၊ အပူတုန်ခါမှုအပူချိန် ၉၀၀ မှ ၁၀၀၀ ဒီဂရီဆဲလ်စီယပ်ရှိသည်။

၎င်းသည် Self-lubricating ဂုဏ်သတ္တိများရှိပြီး၎င်းကိုအလွယ်တကူညစ်ညမ်းစေသောမည်သည့်စက်ရုံမျှတွင်သုံးနိုင်သည်။ ကြွေပြားများနှင့်ဟိုက်ဘရစ်ကြွေပြားအဝိုင်းများအတွက်ရွေးချယ်သောပစ္စည်းဖြစ်လာသည်။

သံမဏိဘောလုံးများနှင့်နှိုင်းယှဉ်လျှင်ကြွေပြားများ၏အဓိကအားသာချက်များမှာ -

(၁) သံမဏိဘောလုံးများထက် ၅၉% ပိုပေါ့သည်၊ ၎င်းသည်အမြန်နှုန်းဖြင့်လည်ပတ်နေစဉ်တွင်ပြေးလမ်းပေါ်ရှိဗဟိုချက်မှအင်အား၊

(၂) elasticity ၏ကိန်းပကတိတန်ဖိုးသည်သံမဏိထက် ၄၄ ရာခိုင်နှုန်းပိုမိုကြီးမားသည်။ ဆိုလိုသည်မှာအတင်းအကျပ်ဖိအားပေးသည့်အခါသံမဏိဘောလုံးများ၏ပမာဏထက်ပုံပျက်သောပမာဏသည်ဆိုလိုသည်။

(၃) မာကျောမှုသည်သံမဏိများထက်မြင့်မားသည်။ HRC သည် ၇၈ နှစ်၊

(4) ပွတ်တိုက်မှု၏ကိန်းသေးငယ်တဲ့, သံလိုက်မဟုတ်သော, လျှပ်စစ် insulator တွင်လည်းနှင့်သံမဏိထက်ဓာတုချေးဖို့ပိုပြီးခံနိုင်ရည်ရှိ၏

(၅) အပူတိုးချဲ့နှုန်းသည်သံမဏိ၏ ၁/၄ ဖြစ်ပြီးရုတ်တရက်အပူချိန်ပြောင်းလဲခြင်းကိုခံနိုင်သည်။

(၆) မျက်နှာပြင်အနိမ့်သည်ပိုကောင်းသည်၊ Ra သည် ၄-၆ nanometers ထိရောက်နိုင်သည်။

(၇) အပူချိန်မြင့်မားခြင်း၊ ကြွေထည်သည် ၁၀၅၀ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင်မြင့်မားသောခွန်အားနှင့်မာကျောမှုရှိသည်။

(8) ၎င်းသည်သံချေးခြင်းနှင့်ဆီမပါသောချောဆီအရည်ပျော်အခြေအနေများအောက်တွင်အလုပ်လုပ်နိုင်သည်။